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SiA911EDJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.5
1.4
I D = - 2.7 A, V GS = - 2.5 V
100
1.3
1.2
I D = - 2.7 A, V GS = - 4.5 V
10
1.1
I D = - 1 A, V GS = - 1.8 V
1.0
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.9
0. 8
0.7
0.1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.5
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
20
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
I D = 2.7 A
0.4
15
0.3
10
0.2
T J = 125 °C
5
0.1
T J = 25 °C
0.0
0
0
1
2
3
4
5
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0. 8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
Limited b y R DS(on) *
0.7
0.6
I D = 250 μ A
1
100 μ s
1 ms
10 ms
0.5
0.4
0.1
100 ms
1 s
10 s
DC
0.3
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
Limited
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
1 10 100
www.vishay.com
4
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68927
S09-0389-Rev. B, 09-Mar-09
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